德州仪器TI：早期推出全球首批商用GaAs隧道二极管。
Infineon：2001年推出全球首款商用SiC功率肖特基二极管。 三安集成：2018年发布6英寸SiC工艺，覆盖650V/1200V SBD等。
Cree/Wolfspeed：2011年推出首款商用SiC MOSFET CMF20120D。 瞻芯电子：2018年发布国内设计、国内6英寸线制造流片的SiC MOSFET，称填补国内空白。
EPC：2009年推出首批增强型GaN-on-Si功率晶体管。 Skysilicon：2015年发布中国首款8英寸衬底GaN功率器件；英诺赛科2017年建立8英寸GaN-on-Si量产线。
Infineon，2005年BFP740 SiGe:C HBT家族量产
Panasonic/Matsushita 1968 年开发并实用化 ZNR，被官方称为世界首个 ZnO 压敏电阻。 风华高科、三环集团率先实现了中高端片式压敏电阻的大规模量产，打破了国外垄断。