新闻
发表论文⑤｜适用于 MEMS 研究级原型高效验证的微区工艺技术研究
MEMS 是多新兴产业的核心感知器件，全球市场规模稳步增长，但国内本土产能占比极低，产业技术转化需求迫切。当下国内三类主流 MEMS 研发制造渠道各有短板，量产代工成本高、周期长，院所公共平台适配前沿新材料、新结构能力不足，高校自研平台加工精度、量产工艺兼容性较差，都难以满足科研小批量、快速迭代的原型验证需求。为此团队依托 MEMS 科研原型自身结构特征，研发实验室微区工艺技术，希望通过工艺重构与核心技术创新，在实验室完成原型快速制备与性能验证，打通科研成果产业化评估链路。
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武汉瑞德仪科技有限公司 × 九峰山实验室｜于Applied Physics Letters联合发表文章
近年来，第三代半导体材料因其在高功率电子、数据存储和光伏系统等领域的广泛应用而备受关注。其中SiC MOSFET的器件结构变得日益复杂，给结构分析和评估带来了挑战。因此，迫切需要开发能够准确评估SiC器件物理特性和预测其性能的检测方法。 近日，九峰山实验室Mingsheng Fang等研究人员，采用原子力显微镜，利用KPFM和SCM技术，详细分析了SiC MOSFET在不同外部偏压下的局部电势分布，为器件的设计和性能优化提供了重要指导。相关成果于2025年4月发表于Applied Physics Letters上。
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九峰山实验室 × 逍遥科技｜联合发布 MEMS PDK 0.5
九峰山实验室（JFS）与逍遥科技（LDA）正式联合发布 MEMS PDK 0.5 版本。该 PDK 面向 MEMS 设计师，首次提供完整 EDA 工具链配套设计套件，核心包含经过九峰山工艺验证的 MEMS 基元件库、参数化版图单元（PCells），以及基于 pVerify 构建的完整 DRC 规则。
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云南光电子信息产业合作恳谈会
2026年4月29日，2026云南光电子信息产业（武汉）合作恳谈会在中国光谷科技会展中心成功举办。作为深耕半导体芯片产品工程领域的专业服务商，武汉解微半导体科技有限公司受邀参与本次活动，并在“精准对接项目路演”及“区域恳谈会”环节与滇鄂两地政府、产业平台及上下游企业进行了深入交流。
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首届半导体芯片产品工程产业高峰论坛
4月24日至25日，国内首个聚焦“芯片技术到产品转化”的半导体芯片产品工程高峰论坛，已在武汉中国光谷科技会展中心举行。围绕芯片产品概念、技术验证晶圆(TQV)设计、芯片原型(Prototype)、新产品导入、失效分析、良率提升和产业协同与生态构建等核心议题，汇聚全球一线产品工程专家，立足半导体产业发展需求，搭建全球半导体产业智慧聚合平台，分享从技术验证到量产落地的实战经验。
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九峰山论坛盛大启幕｜武汉解微半导体联合主办芯片产品工程产业峰会
据武汉市科技创新局官网 2026 年 4 月 24 日发布《九峰之巅，“中国芯” 重构全球科技版图》报道，2026 九峰山论坛暨中国光谷化合物半导体产业博览会于 4 月 23 日 - 25 日在光谷科技会展中心举办。同期，由九峰山实验室与武汉解微半导体科技有限公司联合主办的半导体芯片产品工程产业峰会顺利启幕。峰会聚焦芯片技术到产品转化全链路，汇聚国际顶尖产业专家，直击研发落地量产过程中的各类核心痛点。
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发表论文④｜化合物半导体功率器件关键技术与发展趋势
随着人工智能与全球数字化进程的不断深入，光通信网络正在经历一场从骨干网向芯片内部互连下沉的深刻变革。传统硅基器件在物理特性上逐渐逼近极限，难以满足下一代高速光模块对极致能效、超高带宽和低延迟的严苛要求。以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和磷化铟（InP）为代表的化合物半导体，凭借其高电子迁移率、高热导率和高临界击穿电场等本征优势，为突破现有技术瓶颈提供了关键的材料基础与解决方案。本文系统综述了化合物半导体功率器件在高速光模块中的关键技术发展现状，重点阐述了其与硅光子平台的协同创新模式、共封装光学（CPO）等先进集成架构，以及所面临的核心工艺与供应链挑战。文章进一步分析了该领域向更高性能、更深层次光电融合演进的发展趋势，并展望了其在人工智能数据中心、下一代通信、智能汽车等多元化场景的应用前景。最后指出，克服材料制备、异质集成和生态协同等挑战，对于化合物半导体器件支撑未来绿色高效的算力网络至关重要。
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发表论文③｜面向自主创新的半导体芯片系统性分析方法论研究
随着半导体技术进入以异构集成和多样化材料为核心的后摩尔时代，产业竞争愈发激烈。在此背景下，深入理解先进商业芯片的技术实现，已成为驱动正向创新、优化工艺路径和构建知识产权战略的关键支撑。本文提出了一套系统性的半导体芯片综合分析方法论，该方法论采用从宏观到微观、多尺度联动的分析框架，融合先进的物理表征、电路功能与结构建模以及多物理场仿真技术，旨在全面揭示芯片从系统架构、功能模块、单元电路直至器件物理与材料特性的系统级设计实现与工艺特征。本文系统展示了如何将分析研究成果有效转化为工艺开发、TQV (Technology Qualification Vehicle) 验证芯片设计以及电路创新的具体指导，并最终形成体系化的知识产权布局与创新路径规划。本研究所构建的分析框架，能够系统揭示芯片的设计逻辑与制造特征，显著缩短技术研发周期，并为构建差异化技术路线提供关键决策依据。
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发表论文②｜AlScN 压电微机电系统共性工艺技术开发
使用掺钪氮化铝压电材料，我们开发了一种通用的压电 MEMS 工艺。同时我们设计了一个技术认证平台 (TQV) 来验证该工艺。我们的 TQV 设计是将压电 MEMS 构建为 2.5 维参数化单元 (p-cell) 来区分 MEMS 器件与其他半导体技术（尤其是 CMOS 技术）在结构和材料上的差异我们创建了一个定制的 TQV，我们可以在客户产品开发过程中，创建一个定制的 TQV，来优化客户的性能，这个定制的 TQV 中包含客户的芯片设计和我们的 PDK 测试密钥。
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发表论文①｜化合物半导体材料的表征分析
九峰山实验室已建立了全面的针对化合物半导体材料的表征能力，包括化合物的组分元素分析和微痕元素定量测量、晶格结构分析 和显微分析、材料的化学键和价态的测定，以及材料电学参数的确定。另外还有缺陷分析的能力。 材料的分析表征伴随在化合物半导体材料的开发过程中。对于化合物半导体来说，其材料的特性与硅基半导体材料存在显著差异。因此，我们在材料的分析表征技术上，需要根据化合物半导体器件的性能和可靠性要求做相应的更新。
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