Infinera：2004年发布/部署首批大规模InP PIC，2005年前后商业化100G PIC收发系统。 光迅科技2013年已公开具备InP/GaAs光芯片平台和FP/DFB/PIN/APD/EML等自制能力。
RFMD/Qorvo是商用无线GaAs HBT PA代表；GaAs MMIC早期由Plessey、HP、TRW、TriQuint等推动。 唯捷创芯：2017年研报称其RPM6442成为国内首家量产高频LTE-A射频PA的本土企业。
Navitas：2016年发布量产合格GaN Power IC，2018年进入量产。 英诺赛科：2017年建8英寸GaN-on-Si量产线，后续产品覆盖分立器件、IC、晶圆及模组。
1980年富士通研究所三村高志团队，研发n-AlGaAs/GaAs HEMT； 1985 年，富士通， HEMT 微波器件产品化。 成都海威华芯，2016 年 6 英寸 GaAs 线打通；2019 年完成 0.15 μm GaAs pHEMT 工艺。
IBM，1998年推出首批标准高容量SiGe无线通信芯片。 广州广晟微电子/Rising Micro，2006年推出中国首个可商用3G WCDMA手机RF收发芯片组RS1007W/RS1007RF，采用Jazz 0.18 μm SiGe BiCMOS。
Analog Devices AD8015，1994/1996单芯片光接收TIA。 厦门优迅，2007年公开报道称为中国大陆第一家实现高速收发芯片量产公司，采用SiGe BiCMOS，产品含TIA、LA、LDD。
Infineon，2009年推出全球首款基于SiGe的77GHz汽车雷达芯片。 厦门意行半导体，2014年5月推出国内首个完全自主知识产权的24GHz SiGe MMIC套片 南京迈矽科，2019年9月推出77GHz车载防撞雷达单片收发芯片。
Samsung 2006 年发布 512Mb PRAM 原型； Numonyx 2010 年发布 Omneo PCM 商用芯片。 时代全芯 AMT：2019 年发布/下线 2Mb PCM EEPROM“溥元611”。