Lumentum、Hamamatsu、Albis等长期商业化。 光迅科技2013年资料显示已掌握PIN PD、APD设计/结构并量产相关光芯片。
GaNo Opto：2016年称推出首个商用SiC UV APD；2022年称推出首个商用SiC EUV光电二极管。 GaNo Opto：2016年/2022年相关SiC紫外探测产品发布。
Advanced Photonix等有商用GaN UV photodiode。 中国厂商如GaNo、Otron提供GaN UV探测器；中科大2025报道GaN级联光电二极管UV光谱成像芯片。
Agilent：2001年商用FBAR双工器。 诺思微系统ROFS：2011年成立，被称为中国首家FBAR生产企业；2017年首批6英寸FBAR晶圆下线。 开元通信2019年推出量产8英寸BAW产品。
IDT：2011年发布世界首个pMEMS技术，使用AlN压电层
旭化成/AKM：1983年HW系列薄膜高灵敏度InSb霍尔元件商业化/量产化。 苏州矩阵光电Matrix Opto： 2018年化合物半导体霍尔元件量产报道。
Siemens Semiconductor Group，1987年前后已有FP210系列InSb/NiSb Feldplatte磁阻器件资料。 青岛泰润电子： 2008年已有TMS差分磁阻传感器商品信息，称采用自主开发InSb薄膜磁敏电阻；官网现列InSb薄膜磁敏电阻SMR芯片。
旭化成/AKM：1997年前后已有InAs Hall sensors量产MBE开发资料；2006年8-12月开始商业销售多款InAs霍尔元件。
Laser Components，1999；较早商用 GaP UV 光电二极管。 筱晓光子 2014 年后有 GaP 光电二极管产品。
Figaro Engineering田口尚义发现SnO₂作为气敏材料，1968年开始TGS半导体气体传感器量产销售，是全球首家成功商业化半导体式气体传感器公司。 河南汉威电子，1998年自主研发半导体氧化锡、氧化铁系纳米敏感材料和MQ-2型半导体可燃气体传感器。
SGX，2001年发布汽车舱内空气质量模块。 Winsen 2017年发布GM系列MEMS气体传感器。
1950–1960年代Harshaw Chemical 率先实现粉末型ZnS:Ag/α闪烁屏标准化生产。 1994年，中核（北京）核仪器厂（原261厂）主导起草行业标准EJ/T 902-1994《硫化锌(银)闪烁体》，首次规范国内产品技术指标。
Acrorad 1993 年 CdTe 探测器用于骨密度设备，2000 年开始生产 CdTe 辐射探测元件。 陕西迪泰克 2012 年成立，2015 年开始产业化，2020 年形成 γ 相机/γ 谱仪等产品。
TPK 宸鸿科技与日本日东电工率先实现高精度、大规模商业化量产，并打入消费电子巨头供应链的。 莱宝高科：国内最早（2000年代初）实现 ITO 导电玻璃及触摸屏传感器规模化量产的企业，打破了当时的海外垄断。
万睿视2018 年在全球率先推出了有史以来第一款基于 IGZO-TFT 技术的 X 射线平板探测器。 奕瑞科技2018年正式发布其首款 IGZO 动态数字化 X 线探测器，并开始逐步向医疗和工业市场拓展。
trinamiX/BASF 2020 年发布专有 PbSe 近红外探测器用于 CO₂ 测量，并声明德国量产能力。